Àdàkọ:Infobox silicon
Lát'ọwọ́ Wikipedia, ìwé ìmọ̀ ọ̀fẹ́
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Ìfarahàn | |||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| crystalline, reflective with bluish-tinged faces Broken silicon ingot |
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Àwọn ìní àníkárí | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Orúkọ, àmì-ìdámọ̀, nọ́mbà | silicon, Si, 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ẹ̀ka apilẹ̀sẹ̀ | metalloid | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Àdìpọ̀, ìgbà, block | 14, 3, p | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ìwúwo átọ́mù | 28.0855(3) g·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ìtòjọ ẹ̀lẹ́ktrónì | [Ne] 3s2 3p2 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Àwọn ẹ̀lẹ́ktrónì lórí ọ̀nà kan | 2, 8, 4 (Image) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Àwọn ìní aláfójúrí | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Phase | solid | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Kíki (tó súnmọ́ r.t.) | 2.3290 g·cm−3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Liquid density at m.p. | 2.57 g·cm−3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ojúàmì ìyọ́ | 1687 K, 1414 °C, 2577 °F | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ajúàmì ìhó | 3538 K, 3265 °C, 5909 °F | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Heat of fusion | 50.21 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Heat of vaporization | 359 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Specific heat capacity | (25 °C) 19.789 J·mol−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vapor pressure | |||||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Atomic properties | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Oxidation states | 4, 3 , 2 , 1[1] -1, -2, -3, -4 (amphoteric oxide) |
||||||||||||||||||||||||||||||
| Electronegativity | 1.90 (Pauling scale) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ionization energies (more) |
1st: 786.5 kJ·mol−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2nd: 1577.1 kJ·mol−1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 3rd: 3231.6 kJ·mol−1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Atomic radius | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Covalent radius | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Van der Waals radius | 210 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Miscellanea | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Crystal structure | diamond cubic | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Magnetic ordering | diamagnetic[2] | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Electrical resistivity | (20 °C) 103 [3]Ω·m | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Thermal conductivity | (300 K) 149 W·m−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Thermal expansion | (25 °C) 2.6 µm·m−1·K−1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Speed of sound (thin rod) | (20 °C) 8433 m/s | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Young's modulus | 185[3] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Shear modulus | 52[3] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Bulk modulus | 100 GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Poisson ratio | 0.28[3] | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Mohs hardness | 7 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAS registry number | 7440-21-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Band gap energy at 300 K | 1.12 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Most stable isotopes | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Main article: Isotopes of silicon | |||||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
References
This reference list does not appear in the article.
- ↑ R. S. Ram et al. "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" J. Mol. Spectr. 190, 341–352 (1998)
- ↑ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Handbook of Chemistry and Physics 81th edition, CRC press.
- ↑ 3.0 3.1 3.2 3.3 http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si